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上海宝冶国家存储器基地项目芯片生产机台进场安装
来源:上海宝冶集团 作者:林燎东 发布时间:2018年04月13日 访问量:
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  4月11日,由上海宝冶承建的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场“move in”仪式在项目现场举行。武汉市委副书记、常务副市长陈瑞峰主持仪式,武汉市长万勇出席活动并致辞。武汉市委市府领导、东湖高新区管委会领导、投资方、建设方等共计300余人参加了仪式

  国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑,建成量产后将实现我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零“的突破,对于保障国家信息安全具有重要的战略意义。

  上海宝冶承担了国家存储器基地项目(一期)A标段土建工程、D标段土建及安装、B/C标段配电工程等建设内容,目前工程正在全力有序推进。宝冶人将继续发扬“一天也不耽误,一天也不懈怠”朴实厚重的利发国际娱乐精神,以“产业报国”的使命担当和决心勇气,为我国的“自主创芯”贡献力量。

  上海宝冶副总经理王黔携项目参施人员共同见证了“中国芯中国造”迈出的关键性一步。


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